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2012年12月8日,“高通量組合材料制備與表征平臺技術(shù)”專題研討會在中國工程院召開。會議由中國工程院化工、冶金與材料工程學(xué)部主辦，學(xué)部副主任屠海令院士主持了會議，學(xué)部主任曹湘洪院士在開幕式上致辭。來自海內(nèi)外的9位專家做專題報告，徐匡迪名譽(yù)主席出席會議并發(fā)表重要講話，曹湘洪、王崇愚、陳立泉、吳以成、江東亮、楊學(xué)明等10位院士和70余位專家學(xué)者參加了會議。
曹湘洪院士在致辭中提到，近些年來，國外高通量材料制備與表征平臺技術(shù)快速發(fā)展，高通量制備和表征開發(fā)取得了越來越多的成果。舉辦本次專題研討會的主要目的是通過交流，使大家更深刻的理解組合材料芯片技術(shù)，推動我國材料開發(fā)技術(shù)的創(chuàng)新，了解組合材料芯片技術(shù)的最新進(jìn)展，了解高通量材料制備和表征平臺最新技術(shù)，及可能拓展的性能領(lǐng)域。主要目標(biāo)是通過技術(shù)交流，啟發(fā)思路，加快我國材料開發(fā)的力度，推動我國傳統(tǒng)材料產(chǎn)業(yè)的結(jié)構(gòu)調(diào)整、轉(zhuǎn)型升級，推動我國新材料產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展。
會議為期一天，與會的院士專家針對“材料基因組計劃”，特別是高通量組合材料制備與表征平臺技術(shù)發(fā)展歷史與現(xiàn)狀、應(yīng)用領(lǐng)域和成功案例進(jìn)行了深入的研討。項曉東博士、茆勝博士、趙繼成博士等專家從組合材料芯片技術(shù)綜述和組合材料芯片技術(shù)應(yīng)用及微區(qū)表征技術(shù)兩個方向，做了9場報告，報告結(jié)束后院士專家進(jìn)行了深入的研討。
徐匡迪名譽(yù)主席在會議總結(jié)時指出，新材料技術(shù)是體現(xiàn)一個國家高科技發(fā)展水平、尤其是國防科技水平的關(guān)鍵標(biāo)志之一，具有重要的戰(zhàn)略意義。我國在新材料研究領(lǐng)域的起步較晚，整體水平與先進(jìn)國家相比仍有很大差距。目前國內(nèi)組合材料芯片技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用受到實驗室條件的限制，還存在基礎(chǔ)設(shè)施上的技術(shù)瓶頸需要克服。他認(rèn)為目前急需建立以第三代同步輻射光源與組合材料芯片有機(jī)結(jié)合的原位表征為特征的大科學(xué)平臺，通過發(fā)揮國家級大科學(xué)設(shè)施的作用，推動我們國家材料科學(xué)的發(fā)展。他要求，有關(guān)專家充分利用本次會議的研討成果，形成上報有關(guān)部門的建議。
(宋瑋瑋 左家和)
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