當(dāng)前位置：唁 電
吉林大學(xué)并致高鼎三院士治喪委員會(huì)：
驚悉高鼎三院士不幸病逝，我們懷著無(wú)比悲痛的心情，向你們并通過(guò)你們向高鼎三院士的親屬表示沉痛的哀悼。
高鼎三院士是我國(guó)著名的半導(dǎo)體與光電子學(xué)專家，是中國(guó)半導(dǎo)體事業(yè)開(kāi)拓者之一。高鼎三院士在國(guó)內(nèi)首先研制成大功率整流器，點(diǎn)接觸二極管、三極管和光電二極管，較早研制成功了GaAs激光器、500A/2500V大功率閘管。發(fā)表了許多專、譯著和文章。培養(yǎng)了一批博士后、博士、碩士研究生。高鼎三院士積極建議把光電子技術(shù)列為國(guó)家高技術(shù)發(fā)展的獨(dú)立項(xiàng)目，并承擔(dān)了863計(jì)劃中可見(jiàn)激光器的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及工藝研究和半導(dǎo)體激光器熱傳輸特性等研究項(xiàng)目，取得了很大成績(jī)。高鼎三院士畢生獻(xiàn)身于我國(guó)科技和教育事業(yè)的發(fā)展，做出了重大貢獻(xiàn)。他的逝世是我國(guó)科技教育界的巨大損失。
高鼎三院士永垂不朽!
中國(guó)工程院院長(zhǎng) 徐匡迪
二○○二年六月十六日
高鼎三院士生平
我國(guó)半導(dǎo)體科學(xué)事業(yè)開(kāi)拓者之一，著名半導(dǎo)體物理學(xué)家、教育家，中國(guó)工程院院士，長(zhǎng)春市第六屆、第七屆、第八屆、第九屆人大常委會(huì)常委，吉林大學(xué)教授、博士生指導(dǎo)教師，電子科學(xué)與工程學(xué)院名譽(yù)院長(zhǎng)高鼎三先生，因病醫(yī)治無(wú)效，于2002年6月13日20時(shí)42分在長(zhǎng)春逝世，享年88歲。
高鼎三先生是吉林大學(xué)半導(dǎo)體系(現(xiàn)電子科學(xué)與工程學(xué)院)創(chuàng)建者，中國(guó)鍺功率器件的最早研制者。近半個(gè)世紀(jì)以來(lái)兢兢業(yè)業(yè)，教書(shū)育人，潛心晶體管、半導(dǎo)體激光器、電力電子半導(dǎo)體器件的研究，為我國(guó)電子科學(xué)事業(yè)的發(fā)展做出了巨大貢獻(xiàn)，為國(guó)家培養(yǎng)了大批優(yōu)秀人才。
高鼎三先生的逝世，不僅使我們失去了一位德高望重的師長(zhǎng)，也是我國(guó)科技界、教育界的重大損失。
高鼎三先生1914年7月24日出生于上海市一個(gè)貧寒家庭。少年時(shí)期就求知若渴，學(xué)習(xí)甚為用功。16歲參加函授攻讀文科，1933年自學(xué)考入上海大同中學(xué)附中(高中)，1937年考入了上海交通大學(xué)。上海"8·13"抗戰(zhàn)爆發(fā)后，到武漢大學(xué)借讀，1938年又轉(zhuǎn)到昆明西南聯(lián)大讀書(shū)。1941年7月以優(yōu)異成績(jī)畢業(yè)并獲得理學(xué)學(xué)士學(xué)位，畢業(yè)后被留在中央研究院評(píng)議會(huì)議任《科學(xué)記錄》助理編輯。
1947年11月，高鼎三先生被錄取為留美實(shí)習(xí)生，赴美國(guó)加利福尼亞大學(xué)研究院攻讀研究生。1951年取得碩士學(xué)位后開(kāi)始攻讀博士學(xué)位。1953年因要求回國(guó)而中斷學(xué)業(yè)，在洛杉磯一家國(guó)際整流器公司任研究員。1955年5月回到祖國(guó)。在美求學(xué)期間，他曾參加進(jìn)步組織"留學(xué)科協(xié)"并被推選為海灣地區(qū)候補(bǔ)理事長(zhǎng)，擔(dān)任加州大學(xué)中國(guó)留學(xué)生學(xué)生會(huì)副主席，和其他愛(ài)國(guó)留學(xué)生一起向美國(guó)移民局多次交涉，聯(lián)名給美國(guó)總統(tǒng)艾森豪維爾和后來(lái)的杜魯門寫信，以求得早日回國(guó)參加祖國(guó)建設(shè)。
回國(guó)后，高鼎三先生于1955年9月來(lái)到東北人民大學(xué)(吉林大學(xué)前身)物理系任教，并任物理系副主任、半導(dǎo)體教研室主任。1959年主持建立了全國(guó)第一個(gè)半導(dǎo)體系，并擔(dān)任系主任工作，其間曾兼任集成光電子研究室主任。1978年晉升為教授。1984年以后，任電子工程系(由半導(dǎo)體系擴(kuò)建)名譽(yù)系主任。曾任清華大學(xué)、吉林大學(xué)和中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所聯(lián)合組建的"集成光電子學(xué)國(guó)家重點(diǎn)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室"首屆學(xué)術(shù)委員會(huì)主任(1990-1993)，中國(guó)電子學(xué)會(huì)電力電子學(xué)會(huì)理事，半導(dǎo)體與集成技術(shù)委員會(huì)、國(guó)家科委光通信專業(yè)組顧問(wèn)，長(zhǎng)春物理學(xué)會(huì)理事長(zhǎng)，吉林省電子學(xué)會(huì)副理事長(zhǎng)等學(xué)術(shù)職務(wù)。1995年當(dāng)選為中國(guó)工程院院士。
高鼎三先生歸國(guó)以來(lái)，以強(qiáng)烈的事業(yè)心和高度的責(zé)任感，成功研制了我國(guó)首個(gè)鍺功率器件，為光電器件和半導(dǎo)體激光器發(fā)展傾注了畢生精力，為我國(guó)半導(dǎo)體事業(yè)的開(kāi)拓與發(fā)展及專業(yè)人才的培養(yǎng)，作出了重大的貢獻(xiàn)。
我國(guó)半導(dǎo)體事業(yè)的開(kāi)拓者
1956年高鼎三先生帶領(lǐng)半導(dǎo)體研制小組，僅用五個(gè)星期的時(shí)間就試制成鍺半導(dǎo)體大功率整流器，這是我國(guó)第一個(gè)用鍺半導(dǎo)體制造成的功率器件。此后不久，他又在國(guó)內(nèi)研制成功鍺點(diǎn)接觸二極管和三極管。這些成果在當(dāng)時(shí)被視為具有世界先進(jìn)水平。1958年至1959年，在他的指導(dǎo)下，吉林大學(xué)半導(dǎo)體系研制出了開(kāi)國(guó)內(nèi)先河的鍺光電二極管，研制成功了半導(dǎo)體熱敏電阻、氧化銅整流器、砷化鎵等半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料。1962年至1966年，進(jìn)行了"外延技術(shù)"的研究，并制作了隧道二極管、砷化鎵激光器、臺(tái)面晶體管等。1976年，他主持研制的室溫工作的鋅擴(kuò)散砷化鎵平面條形雙異質(zhì)結(jié)激光器，達(dá)到了國(guó)內(nèi)先進(jìn)水平，獲1978年全國(guó)科技大會(huì)獎(jiǎng)。1986年至1988年，承擔(dān)了國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目"復(fù)合腔波導(dǎo)互補(bǔ)半導(dǎo)體激光器橫模特性及縱模鎖定效應(yīng)的研究"制作出了當(dāng)時(shí)具有國(guó)際先進(jìn)水平的器件，該項(xiàng)成果于1988年獲電子部科技成果一等獎(jiǎng)，1988年獲國(guó)家發(fā)明三等獎(jiǎng)。
在"七五"及"八五"期間，高鼎三先生還承擔(dān)并指導(dǎo)完成了許多重大科研項(xiàng)目。他指導(dǎo)的國(guó)家科委"863"計(jì)劃項(xiàng)目"可見(jiàn)光激光器的研制"，通過(guò)對(duì)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、工作機(jī)理及工藝的研究，使紅光半導(dǎo)體激光器工藝大大簡(jiǎn)化，壽命有很大提高，其中"階梯襯底內(nèi)條形可見(jiàn)光半導(dǎo)體激光器"在1991年獲國(guó)家教委科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)，1992年獲國(guó)家發(fā)明三等獎(jiǎng)。研制成果"半導(dǎo)體激光器熱傳輸特性研究"獲1992年國(guó)家教委科技進(jìn)步(甲類)三等獎(jiǎng)。他指導(dǎo)的國(guó)家攻關(guān)項(xiàng)目"復(fù)合腔動(dòng)態(tài)單膜半導(dǎo)體激光器"，其對(duì)稱三腔型和原子轟擊內(nèi)干涉型兩種均獲成功，實(shí)現(xiàn)了600MHz單模運(yùn)轉(zhuǎn)。此外，還開(kāi)展了"耦合陣列大功率半導(dǎo)體激光器"及"高速調(diào)制1.3靘激光器"的研制工作。
為了更加深入研究半導(dǎo)體激光器的內(nèi)部機(jī)理，高鼎三先生承擔(dān)了國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目"長(zhǎng)波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光器溫度特性研究"。1987年取得了三項(xiàng)省級(jí)鑒定成果。而后又利用電導(dǎo)數(shù)測(cè)量技術(shù)，開(kāi)展了激光器失效機(jī)理方面的研究，取得了一定成果(1993年通過(guò)省級(jí)鑒定)，其中電導(dǎo)數(shù)測(cè)量技術(shù)已實(shí)現(xiàn)儀器化。
針對(duì)半導(dǎo)體激光器微微秒技術(shù)在高速光電子學(xué)中的廣泛應(yīng)用，高鼎三先生指導(dǎo)了"七五"期間"863"計(jì)劃的"半導(dǎo)體激光器高速電光采樣儀"研制項(xiàng)目，開(kāi)展了半導(dǎo)體激光器超短光脈沖、強(qiáng)度自相關(guān)測(cè)試、超高速電光采樣儀技術(shù)的研究。其中超高速電光采樣測(cè)試裝置已達(dá)到1988年美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室研究水平。超短脈沖已達(dá)11 3PS。以上兩項(xiàng)成果已在1991年通過(guò)省級(jí)鑒定。由于該項(xiàng)工作意義重大，"八五"期間又獲"863"支持。
此外，高鼎三先生一直重視電力半導(dǎo)體器件的研制工作。在70年代中期，他親自帶領(lǐng)師生深入工廠研制500A、3000V大功率晶閘管，取得了可喜成果。 1991年，他又指導(dǎo)博士研究生承擔(dān)了國(guó)家自然科學(xué)基金"大功率光觸發(fā)晶閘管"的研制工作。通過(guò)新結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)、新工藝探索使該種晶閘管的工作特性得到了極大的提高。其成果于1992年獲國(guó)家教委科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)。其中的新結(jié)構(gòu)"中心錐體槽壯光敏門極的大功率光控雙向晶閘管"獲1993年國(guó)家發(fā)明四等獎(jiǎng)。
這些成績(jī)的獲得是與高鼎三先生勤于研究、時(shí)刻關(guān)注本學(xué)科的發(fā)展潮流和善于從中選取前沿課題、重視理論與實(shí)踐結(jié)合和講究發(fā)揮群體力量的素養(yǎng)是分不開(kāi)的。
積極為我國(guó)半導(dǎo)體事業(yè)的發(fā)展獻(xiàn)計(jì)獻(xiàn)策
高鼎三先生非常關(guān)心國(guó)家半導(dǎo)體事業(yè)的發(fā)展。早在1956年中央有關(guān)部門召開(kāi)的全國(guó)半導(dǎo)體科學(xué)發(fā)展規(guī)劃會(huì)議上，他就曾針對(duì)當(dāng)時(shí)的發(fā)展態(tài)勢(shì)為我國(guó)半導(dǎo)體事業(yè)提出積極的建議。1986年5月，他應(yīng)邀參加國(guó)家院主持召開(kāi)的高技術(shù)專家座談會(huì)，系統(tǒng)地闡述了美、日、西歐等國(guó)的光電子技術(shù)的發(fā)展水平及其發(fā)展戰(zhàn)略，繼而提出了我國(guó)應(yīng)將光電子技術(shù)列為相對(duì)獨(dú)立的高技術(shù)研究開(kāi)發(fā)項(xiàng)目的建議。他的發(fā)言得到與會(huì)專家和領(lǐng)導(dǎo)的重視，他建議的光電子技術(shù)被列為高技術(shù)研究的重要主題項(xiàng)目。1987年5月，國(guó)家計(jì)委批準(zhǔn)了高先生與他的研究集體同中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所及清華大學(xué)聯(lián)合申報(bào)建立"集成光電子學(xué)國(guó)家重點(diǎn)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室"的申請(qǐng)。高鼎三先生被推舉為該實(shí)驗(yàn)室的首屆學(xué)術(shù)委員會(huì)主任。該實(shí)驗(yàn)室在1987年以來(lái)的幾次評(píng)估中，成績(jī)一直比較突出。
高鼎三先生對(duì)吉林省電子工業(yè)的發(fā)展也極為關(guān)心。1959年他在創(chuàng)立吉林大學(xué)半導(dǎo)體系的同時(shí)，向有關(guān)主管部門提出了創(chuàng)辦長(zhǎng)春半導(dǎo)體廠及中國(guó)科學(xué)院吉林分院半導(dǎo)體研究所(后改為東北物理所)的建議并參與了籌建工作。這兩個(gè)單位的建成不僅使長(zhǎng)春市成為培養(yǎng)半導(dǎo)體專門人才、進(jìn)行半導(dǎo)體研究和生產(chǎn)(即產(chǎn)、學(xué)、研)的三結(jié)合基地，也為我國(guó)東北地區(qū)半導(dǎo)體事業(yè)奠定了基礎(chǔ)。他還多次出席省市電子工業(yè)座談會(huì)，為省市電子工業(yè)的發(fā)展提出了許多建設(shè)性的意見(jiàn)。在1987年12月召開(kāi)的長(zhǎng)春市九屆人大會(huì)議上，他向市委書(shū)記、市長(zhǎng)建議成立長(zhǎng)春市高技術(shù)工業(yè)園區(qū)，并撰寫了《吉林省半導(dǎo)體光電子技術(shù)的發(fā)展和前景》，送省市領(lǐng)導(dǎo)和電子局。
為培養(yǎng)半導(dǎo)體事業(yè)人才嘔心瀝血
高鼎三先生自1955年到吉林大學(xué)執(zhí)教至今，一直把教書(shū)育人放在工作的首位。他不僅在培養(yǎng)本科生、研究生中傾注了心血，而且用自己的言行帶出一支半導(dǎo)體專業(yè)教學(xué)與科研隊(duì)伍。他培養(yǎng)出來(lái)的學(xué)生幾乎遍及全國(guó)半導(dǎo)體業(yè)界，有的已成為這一領(lǐng)域的拔尖人才，可謂桃李滿天下。
高鼎三先生于1961年主持編寫的《晶體管原理講義》，在國(guó)內(nèi)是該領(lǐng)域的開(kāi)山之作，曾被許多高等院校、研究所和工廠視為頗具權(quán)威性的教材加以采用。
文革期間，盡管高鼎三先生遭到迫害，但他胸懷坦蕩，從沒(méi)說(shuō)過(guò)違心的話，稍得釋放，便全身心地投入教學(xué)、科研之中，對(duì)黨、對(duì)群眾毫無(wú)怨言。他這種致力于培養(yǎng)學(xué)生、積極承擔(dān)科研任務(wù)，熱愛(ài)社會(huì)主義祖國(guó)、胸懷廣闊，不追名逐利和治學(xué)嚴(yán)謹(jǐn)?shù)木耧L(fēng)貌潛移默化地影響著、教育著周圍的人們。
高鼎三先生教育人才的主張還集中的表現(xiàn)在為吉林大學(xué)創(chuàng)建及發(fā)展半導(dǎo)體系的過(guò)程中，確定并力行的"理工結(jié)合、理化結(jié)合"和"與工業(yè)生產(chǎn)結(jié)合"的辦學(xué)方針上。在這一方針指導(dǎo)下，半導(dǎo)體系(后改為電子工程系)為高等學(xué)院、科研單位及工廠培養(yǎng)了大量人才，也為僅有理科專業(yè)構(gòu)成的半導(dǎo)體系演變成理科專業(yè)和工科專業(yè)相結(jié)合的電子工程系奠定了基礎(chǔ)。建系當(dāng)初只有兩個(gè)專業(yè)和一個(gè)研究室的吉林大學(xué)半導(dǎo)體系如今已發(fā)展成為由七個(gè)專業(yè)構(gòu)成的學(xué)院、多個(gè)研究所和一個(gè)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室(吉林大學(xué)實(shí)驗(yàn)區(qū))組成的教學(xué)和科研緊密結(jié)合的聯(lián)合體。
高鼎三先生從教近半個(gè)世紀(jì)以來(lái)，嘔心瀝血，甘為人梯，為國(guó)家培養(yǎng)了大量?jī)?yōu)秀人才。他一貫堅(jiān)持實(shí)事求是，勤勉不懈的科學(xué)精神，銳意進(jìn)取，嚴(yán)謹(jǐn)治學(xué)，維護(hù)真理，宣傳科學(xué)，赤忱愛(ài)國(guó)，積極推進(jìn)國(guó)家的科技與教育工作，為祖國(guó)的社會(huì)主義建設(shè)事業(yè)做出了重要的貢獻(xiàn)。
高鼎三先生永垂不朽!
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