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中國(guó)共產(chǎn)黨黨員、中國(guó)工程院院士、我國(guó)著名半導(dǎo)體材料學(xué)家、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員梁駿吾同志，因病醫(yī)治無效，于2022年6月23日17時(shí)在北京逝世，享年89歲。
梁駿吾院士逝世后，黨和國(guó)家領(lǐng)導(dǎo)人分別以不同方式表示深切哀悼，并向其家屬表示慰問。中國(guó)工程院黨組書記、院長(zhǎng)李曉紅院士發(fā)唁電表示深切悼念，對(duì)家屬表示慰問。
梁駿吾院士是我國(guó)著名半導(dǎo)體材料學(xué)家，為我國(guó)半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的學(xué)科建設(shè)、技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)振興以及人才培養(yǎng)作出了重要貢獻(xiàn)。60多年來，梁駿吾院士在半導(dǎo)體材料科學(xué)領(lǐng)域辛勤耕耘，突破了高純區(qū)熔硅關(guān)鍵技術(shù)，解決了室溫激光器用GaAs液相外延材料、大規(guī)模集成電路用的優(yōu)質(zhì)硅區(qū)熔單晶、摻氮中子嬗變硅單晶、MOCVD生長(zhǎng)超晶格量子阱材料等一系列重要科研難題。他主持了“七五”、“八五”重點(diǎn)硅外延攻關(guān)，完成了微機(jī)控制、光加熱、低壓硅外延材料生長(zhǎng)和設(shè)備的研究。
卓著功勛名不聞，甘為孺子育英才。梁駿吾院士熱愛祖國(guó)，敬業(yè)奉獻(xiàn)，治學(xué)嚴(yán)謹(jǐn)，謙虛謹(jǐn)慎，品德高尚，具有崇高的科學(xué)精神和人格魅力，是我們學(xué)習(xí)的楷模。
梁駿吾院士的逝世，是中國(guó)工程科技界和中國(guó)工程院的重大損失。
梁駿吾院士千古！
中國(guó)工程院
2022年6月29日
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