梁駿吾，1933年9月18日出生于武漢，男，漢族，湖北省武漢市人。半導(dǎo)體材料專家。中共黨員。1955年畢業(yè)于武漢大學(xué)。1956-1960年在蘇聯(lián)科學(xué)院莫斯科巴依可夫冶金研究所攻讀副博士學(xué)位，1960年獲技術(shù)科學(xué)副博士學(xué)位?，F(xiàn)任中國科學(xué)院半導(dǎo)體所研究員。曾任中國電子學(xué)會半電子材料學(xué)分會主任，現(xiàn)任該分會名譽主任。
1960-1970在中科院半導(dǎo)體所任助理研究員。負責(zé)國家十二年科技規(guī)劃中的高純硅研制，得到電阻率為15×104ohm-cm的硅單晶，是當(dāng)時國際上最好結(jié)果之一，獲1964年國家科委頒發(fā)的國家科技成果二等獎。研制的硅無坩堝區(qū)熔提純設(shè)備獲1964年國家科委全國新產(chǎn)品二等獎。1964-1965年負責(zé)組建GaAs液相外延研究。1965年首次研制成功國內(nèi)第一只室溫脈沖相干激光器用的砷化鎵外延材料。1966-1969年負責(zé)156工程中集成電路用硅外延材料任務(wù)。解決了連續(xù)生長硅高摻雜外延層、SiO2介質(zhì)層、多晶硅層的工藝技術(shù)。為我國第一代介質(zhì)隔離集成電路提供了外延材料。在4K位和16K位DRAM研制中，成功制備大規(guī)模集成電路用無位錯、無旋渦、低微缺陷、低碳、可控氧含量的高質(zhì)量直拉硅單晶。該兩項研究分別獲中科院1979年及1980年重大成果一等獎。20世紀(jì)80年代首創(chuàng)了摻氮中子嬗變區(qū)熔硅單晶，獲1988年中科院科技進步一等獎。完成了硅中雜質(zhì)以及外延中氣體動力學(xué)與熱力學(xué)耦合計算及微機控制光加熱外延爐。完成了MOCVD生長 GaAlAs/GaAs 量子阱超晶格材料‘863’任務(wù)，突破了我國多年來未能生長低閾值的量子阱激光器材料的局面。近年來從事光伏電池材料和器件工作。
1997年當(dāng)選為中國工程院院士。
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