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    高鼎三（1914.07.24-2002.06.13）半導(dǎo)體與光電子學(xué)專家。上海市人。1941年畢業(yè)于西南聯(lián)合大學(xué)，1953年獲美國加利福尼亞大學(xué)碩士學(xué)位。我國半導(dǎo)體事業(yè)開拓者之一。在國內(nèi)首先研制成大功率整流器、點(diǎn)接觸二極管、三極管、光電二極管，較早研制成功GaAs激光器，500A、2500V大功率晶閘管。獲全國科學(xué)大會獎，國家發(fā)明獎三等獎兩項(xiàng)、四等獎1項(xiàng)，電子工業(yè)部科技獎進(jìn)步一等獎1項(xiàng)，國家教委科技進(jìn)步獎二等獎1項(xiàng)。在1986年國務(wù)院召開的“863”計劃專家座談會上，積極建議把光電子技術(shù)列為高技術(shù)的獨(dú)立項(xiàng)目。并承擔(dān)了“863”計劃中“可見光激光器”的結(jié)構(gòu)設(shè)計及工藝研究和“半導(dǎo)體激光器熱傳輸特性”等研究項(xiàng)目，取得很大成績。出版專譯著2部，發(fā)表獨(dú)立或合作論文100余篇。培養(yǎng)碩士、博士生、博士后50余名。

    1995年當(dāng)選為工程院院士。